Elektronische Mischgase werden häufig in hochintegrierten Schaltkreisen (LSI), ultragroß integrierten Schaltkreisen (VLSI) und bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet. Sie werden hauptsächlich in der Gasphasenepitaxie (Herstellung), der chemischen Gasphasenabscheidung, der Dotierung (Verunreinigungsdiffusion), verschiedenen Ätz- und Ionenimplantationsprozessen eingesetzt.
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1. Dichlorsilan (DCS) 5000 ppm+N2; Dichlorsilan (DCS) 15 ppm+N2
2 Dichlorsilan (DCS) 10 ppm + Trichlorsilan (TCS) 10 ppm + Helium
3 HCI 50 ppm + Dichlorsilan (DCS) 1000 ppm + Gleichgewichts-He
4 Silan 1 % + Dichlorsilan (DCS) 1 % + Trichlorsilan (TCS) 1 % + Tetrachlorsilan 1 % + Stickstoff
5 Silan 50 ppm + Trichlorsilan (TCS) 1000 ppm + He
6 Trichlorsilan (TCS) 15 ppm+N2
7 Ethylsilan (Si2H4) 100ppm~200ppm+H2
8 Ethylsilan 10 ppm+He
9 CO2 5 ppm+Silan 135 ppm+Ethylsilan 1000 ppm+He
10 SiH4 5ppm~15%+Ar (H2/N2/He)
11 H2 5 ppm + Ar 5 ppm + N2 5 ppm + CO 5 ppm + CH4 5 ppm + Gleichgewichts-He von CO2 5 ppm + Silan 1000 ppm
12 Ethylboran 50-100 ppm+H2
13 Arsenan 100 ppm ~ 0,7 % + H2
14 Germanan 1 %~10 %+H2
15 Bortrichlorid 1 %~5 %+N2 (He)
16 PH3 0,8 ppm ~ 500 ppm + He (H2)
17 HCI 9ppm~50%+N2
18 NF3 99,99 % 180 g ~ 1500 g
19 NF3 20ppm~30ppm+Luft
20 NF3 15 ppm+N2
21 CF4 80 %+O2
22 Ar 5 ppm ~ 80 % + Ne (H2/He/N2)
23 DKK 8 %~50 %+Jahr
24 Nein 80 %~97 %+Ar
